发明名称 |
包含窗口层和导光结构的半导体发光器件 |
摘要 |
一种器件包含半导体结构,该半导体结构包含布置在n型区域(44,49)和p型区域(46)之间的发光层(48)。该半导体结构布置在窗口层(40)和导光结构(44)之间。该导光结构配置成将光引导朝向窗口层;合适的导光结构的实例包含多孔半导体层和光子晶体。n接触(58,64)电学连接到n型区域且p接触(60,62)电学连接到p型区域。该p接触布置于在该半导体结构中形成的开口(54)中。 |
申请公布号 |
CN105870271A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201610396252.X |
申请日期 |
2009.07.15 |
申请人 |
飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
J.E.埃普勒;J.G.内夫;O.B.施舍金 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
江鹏飞;景军平 |
主权项 |
一种制作半导体发光器件的方法,该方法包含:在生长衬底上生长包含布置在n型区域和p型区域之间的发光层的半导体结构;在p型区域之上布置透明导电氧化物;经由透明导电氧化物将半导体结构结合到窗口层;移除生长衬底;使通过移除生长衬底所暴露的n型区域的部分为多孔的;蚀刻暴露透明导电氧化物的半导体结构中的开口;以及在开口中形成金属接触。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |