| 发明名称 | 用于控制耗尽型晶体管的方法和电路 | ||
| 摘要 | 在描述的示例中，第一晶体管具有：漏极，其耦合于耗尽型晶体管的源极；源极，其耦合于第一电压节点；以及栅极，其耦合于控制节点。第二晶体管具有：漏极，其耦合于所述耗尽型晶体管的栅极；源极，其耦合于所述第一电压节点；以及栅极，其通过至少一个第一逻辑装置耦合于输入节点。第三晶体管具有：漏极，其耦合于所述耗尽型晶体管的栅极；源极，其耦合于第二电压节点；以及栅极，其通过至少一个第二逻辑装置耦合于所述输入节点。 | ||
| 申请公布号 | CN105874598A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201480061907.7 | 申请日期 | 2014.11.17 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | M·D·塞曼;S·R·巴尔;D·I·安德森 |
| 分类号 | H01L27/098(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/098(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵志刚;赵蓉民 |
| 主权项 | 一种用于控制耗尽型晶体管的电路，所述电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管具有：漏极，其耦合于所述耗尽型晶体管的源极；源极，其耦合于第一电压节点；以及栅极，其耦合于控制节点；第二晶体管，所述第二晶体管具有：漏极，其耦合于所述耗尽型晶体管的栅极；源极，其耦合于所述第一电压节点；以及栅极，其通过至少一个第一逻辑装置耦合于输入节点；以及第三晶体管，所述第三晶体管具有：漏极，其耦合于所述耗尽型晶体管的所述栅极；源极，其耦合于第二电压节点；以及栅极，其通过至少一个第二逻辑装置耦合于所述输入节点。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||