| 发明名称 | 一种碳化硅单晶生长用坩埚结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚结构，包括：坩埚本体，所述坩埚本体的内腔底部中心设置有凸起的埚底凸台，所述埚底凸台的高度不凸出于碳化硅原料。本实用新型能够提高原料的利用率、有效的降低产品的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN205474112U | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201620103705.0 | 申请日期 | 2016.02.02 |
| 申请人 | 北京华进创威电子有限公司 | 发明人 | 李龙远 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人 | 尹振启 |
| 主权项 | 一种碳化硅单晶生长用坩埚结构，其特征在于，包括：坩埚本体，所述坩埚本体的内腔底部中心设置有凸起的埚底凸台，所述埚底凸台的高度不凸出于碳化硅原料。 | ||
| 地址 | 101111 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院 | ||