| 发明名称 | 半导体制造中的氮氧化物的消减 | ||
| 摘要 | 本文揭示的实施方式涉及用于减少处理期间，比如半导体制造处理期间，产生的氮氧化物(NO<sub>x</sub>)的方法和设备。处理系统可包括消减控制器和流出物消减系统，其中消减控制器控制流出物消减系统以减少NO<sub>x</sub>产生，同时确保来自处理系统的流出物气体的消减。流出物消减系统可包括燃烧型流出物消减系统和/或等离子体型流出物消减系统。消减控制器可选择流出物消减系统的操作模式以减少NO<sub>x</sub>产生。 | ||
| 申请公布号 | CN105874563A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201480071260.6 | 申请日期 | 2014.12.18 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 保罗·E·费舍尔;莫尼克·麦金托什;安德鲁·赫伯特;科林·约翰·迪金森 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;赵静 |
| 主权项 | 一种用于减少由处理系统产生的氮氧化物(NO<sub>x</sub>)的方法，所述处理系统包括流出物消减系统，所述方法包含以下步骤：获得所述处理系统的至少一个操作参数；及至少依据所获得的至少一个操作参数，从至少三个操作模式的群组选择所述流出物消减系统的操作模式。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||