用于晶体管沟道应用的在包覆之前对Si鳍状物元件的预雕刻

摘要

出于维度雕刻的目的，可以通过射频(RF)等离子和/或热处理来修改晶体管鳍状物元件(例如，鳍状物或三栅极)。可以通过以下操作来形成经蚀刻的、减薄的鳍状物：首先形成较宽的单晶鳍状物，并且之后在较宽的鳍状物之间沉积沟槽氧化物材料，使用第二蚀刻来对较宽的鳍状物进行蚀刻以形成具有未受损的顶面和侧壁的较窄的单晶鳍状物以用于外延生长活性沟道材料。第二蚀刻可以将较宽的鳍状物的顶面和侧壁去除1nm至5nm之间的厚度。第二蚀刻可以使用以下各项来去除厚度：(1)使用基于氯或氟的化学物并且使用低离子能量等离子体处理，或者(2)使用低温热处理，其不会经由高能离子轰击、氧化或者通过留下会扰乱第二材料的外延生长质量的蚀刻残留物来损害鳍状物。

主权项

一种用于形成电子器件鳍状物的方法，包括：在第一单晶材料的衬底的第一顶面区域之间将衬底蚀刻掉一厚度，以在所述第一顶面区域下方形成宽的电子器件鳍状物并且在所述第一顶面区域之间形成沟槽，所述宽的电子器件鳍状物具有宽的单晶顶面和宽的侧壁；然后在所述沟槽中并且在所述第一顶面区域下方形成第一厚度的沟槽氧化物材料；以及然后对所述宽的电子器件鳍状物的所述宽的单晶顶面和所述宽的侧壁蚀刻一厚度，以由所述宽的鳍状物形成较窄的电子器件鳍状物，所述较窄的电子器件鳍状物具有较窄的单晶顶面和较窄的侧壁，所述较窄的单晶顶面和所述较窄的侧壁具有与所述宽的单晶顶面和所述宽的侧壁相同的单晶晶格，其中，对所述宽的单晶顶面和所述宽的侧壁蚀刻所述厚度包括：将所述宽的单晶顶面和所述宽的侧壁去除1nm至15nm之间的厚度。