| 发明名称 | 具有基于混合几何形状的有源区的非平面半导体器件 | ||
| 摘要 | 描述了具有基于混合几何形状的有源区的非平面半导体器件。例如，半导体器件包括混合沟道区，所述混合沟道区包括设置在欧米伽‑FET部分上方的纳米线部分，所述欧米伽‑FET部分设置在鳍式‑FET部分上方。栅极叠置体设置在所述混合沟道区的暴露表面上。所述栅极叠置体包括栅极电介质层和设置在栅极电介质层上的栅极电极。源极区和漏极区设置在所述混合沟道区的两侧上。 | ||
| 申请公布号 | CN105874572A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201380081046.4 | 申请日期 | 2013.12.19 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | S·金;R·里奥斯;F·费尔杜斯;K·J·库恩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 林金朝;王英 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：混合沟道区，所述混合沟道区包括设置在欧米伽‑FET部分上方的纳米线部分，所述欧米伽‑FET部分设置在鳍式‑FET部分上方；栅极叠置体，所述栅极叠置体设置在所述混合沟道区的暴露表面上，所述栅极叠置体包括栅极电介质层和设置在所述栅极电介质层上的栅极电极；以及源极区和漏极区，所述源极区和漏极区设置在所述混合沟道区的两侧上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||