| 发明名称 | 功率器件的制备方法和功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种功率器件的制备方法及其一种功率器件，其中，功率器件的制备方法，包括：在依次形成第一N型外延层、第二N型外延层和第三N型外延层、栅氧化层和多个硅栅结构的基片上进行P型注入，以形成P型体区，所述P型体区的底部接触所述第二N型外延层，其中，所述多个硅栅结构中的相邻硅栅结构之间的区域为主沟槽；在形成所述P型体区的所述基片上进行图形化的N型注入以形成源区；在形成所述源区的所述基片上形成介质层；在形成所述介质层的所述基片上依次对所述介质层进行图形化处理，以暴露出所述主沟槽下方的所述第三N型外延层；形成金属连接从而完成所述功率器件的制备。通过本发明的技术方案，有效提高了功率器件的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN105869989A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201510031227.7 | 申请日期 | 2015.01.21 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在依次形成第一N型外延层、第二N型外延层和第三N型外延层、栅氧化层和多个硅栅结构的基片上进行P型注入，以形成P型体区，所述P型体区的底部接触所述第二N型外延层，其中，所述多个硅栅结构中的相邻硅栅结构之间的区域为主沟槽；在形成所述P型体区的所述基片上进行图形化的N型注入以形成源区；在形成所述源区的所述基片上形成介质层；在形成所述介质层的所述基片上依次对所述介质层进行图形化处理，以暴露出所述主沟槽下方的所述第三N型外延层；形成金属连接从而完成所述功率器件的制备。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||