发明名称 |
一种封装结构及其应用 |
摘要 |
一种封装结构,包括:封装盖片,配置为覆盖欲封装的器件;封装环,设置在封装盖片欲进行封装的一侧,用于实现欲封装的器件的气密性封装;平面引线和/或垂直引线,用于实现欲封装的器件内外电学互连:当设置平面引线时,平面引线设置在封装环与封装盖片之间,且平面引线和封装环之间设置有平面绝缘层;当设置垂直引线时,垂直引线设置为贯穿所述封装盖片。本发明公开的封装结构电学损耗低,能有效抑制寄生效应对射频微弱信号的干扰,实现各种RF MEMS器件的圆片级或芯片级真空封装。 |
申请公布号 |
CN105858588A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201610463337.5 |
申请日期 |
2016.06.23 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
赵继聪;袁泉;杨晋玲;杨富华 |
分类号 |
B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种封装结构,其特征在于包括:封装盖片,配置为覆盖欲封装的器件;封装环,设置在封装盖片欲进行封装的一侧,用于实现欲封装的器件的气密性封装;平面引线和/或垂直引线,用于实现欲封装的器件内外电学互连:当设置平面引线时,平面引线设置在封装环与封装盖片之间,且平面引线和封装环之间设置有平面绝缘层;当设置垂直引线时,垂直引线设置为贯穿所述封装盖片。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |