发明名称 在纳米固态材料中受控地制作纳米孔
摘要 在纳米材料中形成纳米孔的方法,在纳米材料的侧边缘内部的位置上如下来形成纳米孔成核位置:将选自离子束和中性原子束的第一能量束引导到该内部位置持续第一持续时间,其施加了第一束剂量,这导致从该内部位置上除去不超过5个内部原子以在该内部位置处产生具有多个边缘原子的纳米孔成核位置。然后通过将选自电子束、离子束和中性原子束的第二能量束引导到该纳米孔成核位置来在该纳米孔成核位置上形成纳米孔,该第二能量束具有除去该纳米孔成核位置上的边缘原子但是不从该纳米材料中除去体原子的束能量。
申请公布号 CN103702927B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201280023390.3 申请日期 2012.03.14
申请人 哈佛大学校长及研究员协会 发明人 C.J.鲁索;J.A.戈洛夫钦科;D.布兰顿
分类号 B81C1/00(2006.01)I;G01N33/487(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 韦欣华;杨思捷
主权项 一种在纳米材料中形成纳米孔的方法,所述方法包括:在纳米材料的侧边缘内部的材料位置上如下来形成纳米孔成核位置:通过采用束能量将选自离子束和中性原子束的第一能量束引导到所述内部位置持续第一持续时间,其施加了第一束剂量,这导致从所述内部位置上除去不超过5个内部体原子以在所述内部位置处产生具有多个边缘原子的纳米孔成核位置,所述束能量至少为这样的束能量,其在所述纳米材料上提供能够从所述纳米材料中除去体原子的体原子移位能E<sub>d</sub><sup>bulk</sup>;和通过采用束能量将选自电子束、离子束和中性原子束的第二能量束引导到所述纳米孔成核位置来在所述纳米孔成核位置上形成纳米孔,所述束能量小于这样的束能量,后者在所述纳米材料上提供体原子移位能E<sub>d</sub><sup>bulk</sup>,以由此除去在所述纳米孔成核位置上的边缘原子但是不除去不在所述纳米孔成核位置上的体纳米材料原子。
地址 美国马萨诸塞州