发明名称 |
一种利用自生长贵金属等离基元纳米结构 |
摘要 |
一种利用自生长贵金属等离基元纳米结构,包括在太阳电池表面n型AlInP层上制备出贵金属纳米结构。所述贵金属纳米结构为Ag纳米结构,所述Ag纳米结构的直径为10‑50nm,所述Ag纳米结构的分布密度为2.0×10<sup>9</sup>‑3.0×10<sup>10</sup>个/cm<sup>2</sup>。所述贵金属纳米结构为Au纳米结构,所述Au纳米结构的直径为20‑70nm,所述Au纳米结构的分布密度为1.0×10<sup>10</sup>‑5.0×10<sup>10</sup>个/cm<sup>2</sup>。本发明首次利用直接生长的方法在太阳电池表面制备贵金属纳米结构,而完全不需要光刻过程,避免复杂的图形制备过程。同时也不需要利用物理沉积、化学沉积,反应离子刻蚀、机械抛光以及热处理等加工工艺,制备过程简单。 |
申请公布号 |
CN104124286B |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201410157971.7 |
申请日期 |
2014.04.18 |
申请人 |
山东大学 |
发明人 |
刘铎;张茜;林贯军;左致远;林晓煜;徐现刚 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
济南金迪知识产权代理有限公司 37219 |
代理人 |
吕利敏 |
主权项 |
一种利用自生长贵金属等离基元纳米结构,其特征在于,该纳米结构包括在太阳电池表面n型AlInP层上制备出贵金属纳米结构;所述贵金属纳米结构为Ag纳米结构,所述Ag纳米结构的直径为10‑50nm,所述Ag纳米结构的分布密度为2.0×10<sup>9</sup>‑3.0×10<sup>10</sup>个/cm<sup>2</sup>。 |
地址 |
250100 山东省济南市历城区山大南路27号 |