| 发明名称 | 一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法 | ||
| 摘要 | 一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法，属于半导体技术领域。通过金属有机物化学气相淀积MOCVD外延技术，以交替匹配生长原子层级厚度的三元合金铟镓氮（InGaN）和铝镓氮（AlGaN）材料的方法形成铝铟镓氮四元合金薄膜材料。采用以上工艺制备成的AlInGaN四元合金薄膜材料达到以下参数指标：①X射线衍射谱XRD（002）对称面的半峰高宽<240秒；②材料表面粗糙度<1nm；③与氮化镓GaN的c面晶格常数失配度<0.5%。 | ||
| 申请公布号 | CN103715071B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201310617266.6 | 申请日期 | 2013.11.29 |
| 申请人 | 南京大学扬州光电研究院 | 发明人 | 徐峰;陈鹏;谭崇斌;徐洲;张琳;吴真龙;高峰;徐兆青;邵勇;王栾井;宋雪云 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人 | 江平 |
| 主权项 | 一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法，其特征在于通过金属有机物化学气相淀积MOCVD外延技术，以交替匹配生长原子层级厚度的三元合金铟镓氮和铝镓氮材料的方法形成铝铟镓氮四元合金薄膜材料；所述MOCVD的MO源流量满足：TMA/TMI=4.66。 | ||
| 地址 | 225009 江苏省扬州市邗江中路119号 | ||