发明名称 具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜及其制备方法
摘要 本发明公开的具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜,是在基底上从下而上依次有二氧化钛纳米点层和光敏半导体纳米点层。采用溶胶‑凝胶法制备具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜,首先在基底上旋涂二氧化钛前驱体溶胶,退火干燥处理,在基底上获得二氧化钛纳米点层,然后在其上旋涂光敏半导体前驱体溶胶,退火干燥处理,便在基底上获得具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜。本发明的复合薄膜不仅具有优异的光致亲水性,而且具有较大的比表面积,有利于细胞的初始附着、增殖和分化。本发明方法简便,成本低,便于推广应用,可广泛应用于体外细胞培养、组织工程等生物医学工程领域。
申请公布号 CN104175680B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201410346487.9 申请日期 2014.07.21
申请人 浙江大学 发明人 程逵;孙俞;翁文剑;宋晨路;杜丕一;沈鸽;赵高凌;张溪文;徐刚;汪建勋;韩高荣
分类号 B32B33/00(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;B32B17/06(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;A61L27/40(2006.01)I;A61L27/10(2006.01)I;A61L27/02(2006.01)I;A61L27/04(2006.01)I;A61L27/06(2006.01)I;C12N5/00(2006.01)I 主分类号 B32B33/00(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 韩介梅
主权项 具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜,其特征在于在基底上从下而上依次有二氧化钛纳米点层和光敏半导体纳米点层;二氧化钛纳米点层中二氧化钛纳米点的尺寸为30~300nm,密度为1.0×10<sup>10</sup>~1×10<sup>11</sup>/cm<sup>2</sup>;光敏半导体纳米点层中光敏半导体纳米点的尺寸为10~200nm,密度为1.0×10<sup>9</sup>~1.0×10<sup>12</sup>/cm<sup>2</sup>;所述的光敏半导体为氧化锌、氧化铁、氧化锆或氧化锡。
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号