发明名称 |
光设备、光设备的制造方法以及激光组件 |
摘要 |
光设备具备:山脊型的半导体激光元件,其形成于基板上;第一绝缘膜,其覆盖所述半导体激光元件的山脊构造的侧壁部分;第二绝缘膜,其在所述山脊构造的端部区域从所述第一绝缘膜之上覆盖所述山脊构造,且密度低于所述第一绝缘膜。优选所述第二绝缘膜的折射率小于所述第一绝缘膜的折射率。优选所述第二绝缘膜的蚀刻率高于所述第一绝缘膜的蚀刻率。由此,抑制了绝缘膜的覆盖不足。 |
申请公布号 |
CN103392275B |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201280010676.8 |
申请日期 |
2012.05.31 |
申请人 |
古河电气工业株式会社 |
发明人 |
衣川耕平;谷口英广 |
分类号 |
H01S5/042(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/042(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
刘文海 |
主权项 |
一种光设备,其特征在于,具备:山脊型的半导体激光元件,其形成于基板上;第一绝缘膜,其覆盖所述半导体激光元件的山脊构造的侧壁部分的表面;第二绝缘膜,其覆盖所述山脊构造的所述半导体激光元件的激光出射端面侧以及与所述激光出射端面对置的反射端面侧的端部区域,且密度低于所述第一绝缘膜,所述端部区域的未形成所述第一绝缘膜的所述山脊构造的头顶部的表面被所述第二绝缘膜覆盖,所述端部区域以外的所述山脊构造的头顶部是未形成有所述第一绝缘膜以及所述第二绝缘膜的开口部。 |
地址 |
日本国东京都 |