改善沟槽栅分立功率器件晶圆内应力的方法

摘要

本发明公开了一种改善沟槽栅分立功率器件晶圆内应力的方法，步骤一，在硅衬底上形成氧化层；步骤二，在氧化层上涂布光刻胶，用光刻和刻蚀打开沟槽栅分立功率器件用的部分切割道区域；步骤三，根据定义的氧化层刻蚀位置图形刻蚀氧化层；步骤四，去除光刻胶并刻蚀硅衬底，形成沟槽；步骤五，去除氧化层，在沟槽内和硅衬底的端面上，热生长衬垫氧化层；步骤六，在衬垫氧化层的端面淀积氮化硅层；步骤七，去除沟槽底部和硅衬底端面上的氮化硅层；步骤八，在衬垫氧化层上和沟槽内热生长场氧化层；步骤九，光刻并刻蚀场氧化层，打开有源区，并制作沟槽栅分立功率器件。本发明能减小沟槽栅分立功率器件间的相互作用力，改善硅晶片的曲率和内应力。

主权项

一种改善沟槽栅分立功率器件晶圆内应力的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在硅衬底的表面形成一层合适厚度的氧化层；步骤二，在所述氧化层上涂布光刻胶，并用光刻和刻蚀打开沟槽栅分立功率器件用的部分切割道区域，通过光刻定义出氧化层刻蚀位置图形；步骤三，根据定义出的氧化层刻蚀位置图形刻蚀氧化层并贯通氧化层，形成氧化层窗口；步骤四，去除光刻胶，并以氧化层窗口为刻蚀窗口刻蚀硅衬底，形成沟槽；步骤五，去除所有氧化层，在所述沟槽内和硅衬底的端面上，热生长一层衬垫氧化层；步骤六，在所述衬垫氧化层的端面化学气相淀积一层氮化硅层；步骤七，对所述氮化硅层进行回刻，通过刻蚀去除所述沟槽的底部和硅衬底端面上的氮化硅层，且使位于沟槽两侧端的氮化硅层位于沟槽内，即其高度小于沟槽的深度；步骤八，在所述衬垫氧化层上和沟槽内热生长一层沟槽栅分立功率器件用的第一场氧化层；步骤九，光刻并刻蚀所述第一场氧化层，打开沟槽栅分立功率器件用的有源区，并制作沟槽栅分立功率器件。