发明名称 一种低噪声放大器
摘要 本发明公开了一种低噪声放大器,包括:4个PMOS管,编号为B1至B4;4个电感,编号为L1至L5;4个电阻,编号为R1至R4;2个电容C1和C2;输入端接L1和R2的一端,L1另一端接B3栅极,R2另一端接B1栅极;B1栅极漏极短接,其源极接地;电源电压接R1的一端、L2的一端、L3的一端和B2栅极,R1另一端接B1漏极,L2另一端接B2漏极和B4栅极,L3另一端接B4漏极;R3一端接B2漏极,另一端接C1正极,C1负极L4一端,L4另一端接输出端;C2正极接B4漏极,C2负极接地;B2源极接B3漏极,B3源极通过L5接地;B4源极通过R4接地。本发明的低噪声放大器能实现30dB以上的增益,同时能得到1.5dB以下的噪声指数。
申请公布号 CN103138682B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201110388407.2 申请日期 2011.11.29
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 朱红卫;刘国军;胡冠斌
分类号 H03F1/26(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I 主分类号 H03F1/26(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种低噪声放大器,其特征是,包括:4个PMOS管,编号为B1至B4;5个电感,编号为L1至L5;4个电阻,编号为R1至R4;2个电容C1和C2;输入端接L1和R2的一端,L1另一端接B3栅极,R2另一端接B1栅极;B1栅极漏极短接,其源极接地;电源电压接R1的一端、L2的一端、L3的一端和B2栅极,R1另一端接B1漏极,L2另一端接B2漏极和B4栅极,L3另一端接B4漏极,B4漏极接C1的负极;R3一端接B2漏极,另一端接C1正极,C1负极接L4一端,L4另一端接输出端;C2正极接B4漏极,C2负极接地;B2源极接B3漏极,B3源极通过L5接地;B4源极通过R4接地。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号