一种光刻胶水基硅片清洗液及其制备方法

摘要

一种光刻胶水基硅片清洗液，其特征在于由下列重量份的原料制成：三乙醇胺2‑3、四氢糠醇4‑5、苯并三氮唑1‑2、十二烷基苯磺酸钠2‑3、苯甲酸钠2‑3、钼酸钠1‑2、乙醇30‑40、助剂4‑5、去离子水100‑120。本发明的清洗剂可以用于LED和半导体中光刻胶的去除，同时对于硅片基本没有攻击，且成本低，清洗简单。本发明的助剂能够在硅片表面形成保护膜，隔绝空气，防止大气中水及其他分子腐蚀硅片，抗氧化，方便下一步制作工艺进行。

主权项

一种光刻胶水基硅片清洗液，其特征在于由下列重量份的原料制成：三乙醇胺2‑3、四氢糠醇4‑5、苯并三氮唑1‑2、十二烷基苯磺酸钠2‑3、苯甲酸钠2‑3、钼酸钠1‑2、乙醇30‑40、助剂4‑5、去离子水100‑120； 所述助剂由下列重量份的原料制成：硅烷偶联剂KH‑570 2‑3、抗氧剂1035 1‑2、植酸1‑2、吗啉3‑4、甲基丙烯酸‑2‑ 羟基乙酯3‑4、乙醇12‑15；制备方法是将硅烷偶联剂KH‑570 、植酸、乙醇混合，加热至60‑70℃，搅拌20‑30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80‑85℃，搅拌30‑40分钟，即得。