一种锗纳米线叠层结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种锗纳米线叠层结构的制作方法，该方法包括：在单晶衬底表面交替外延单晶锗硅层与锗层；对锗硅层与锗层进行光刻和刻蚀，获得锗硅线条／锗线条的周期结构；在纯氧气氛下对锗硅线条／锗线条的周期结构进行氧化，将锗硅层中的硅组分被选择性氧化为二氧化硅，同时使锗硅层中的锗组分析出到锗层中；利用氢氟酸进行选择性刻蚀，将二氧化硅溶解，获得锗纳米线叠层结构。本发明提供的锗纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。

主权项

一种锗纳米线叠层结构的制作方法，其特征在于，该方法包括：在单晶衬底表面交替外延单晶锗硅层与锗层；对锗硅层与锗层进行光刻和刻蚀，获得锗硅线条/锗线条的周期结构；在纯氧气氛下对锗硅线条/锗线条的周期结构进行氧化，将锗硅层中的硅组分被选择性氧化为二氧化硅，同时使锗硅层中的锗组分析出到锗层中；以及利用氢氟酸进行选择性刻蚀，将二氧化硅溶解，获得锗纳米线叠层结构；其中，所述在单晶衬底交替外延单晶锗硅层与锗层，锗层的厚度为5～5000纳米，锗硅层的厚度为5～5000纳米，锗硅层中锗的组分比例在1％～80％之间。