| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述的工艺和结构的实施例提供用于改善载流子迁移率的机制。在晶体管沟道区附近的由掺杂的外延材料生成的在源极区和漏极区内的位错和产生的应变均对沟道区内的应变起作用。因此，提高了器件性能。本发明还公开了用于在半导体器件中形成应激源区的机制。 | ||
| 申请公布号 | CN103165675B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201210143200.3 | 申请日期 | 2012.05.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡俊雄;王参群;刘书豪;郭紫微;吴启明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底；栅极结构，设置在所述半导体衬底的沟道区的上方；第一应力区，设置在所述半导体衬底内，所述第一应力区包括至少一个位错；以及第二应力区，设置所述半导体衬底内并且覆在所述第一应力区上，所述第二应力区包括外延应力诱导材料，其中，所述第一应力区与所述第二应力区向所述沟道区施加的应力类型不同。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||