| 主权项 |
一种光电二极管组件(100、300、500、700、900)，其包括：半导体衬底(110、302、502、702、902)；在所述衬底(110、302、502、702、902)中的光电二极管单元(108、304、504、704、904)，所述光电二极管单元(108、304、504、704、904)包括用第一类型掺杂剂掺杂的所述衬底(110、302、502、702、902)的第一体积；在所述衬底(110、302、502、702、902)中的接地扩散区(318、518、716、718、914)，所述接地扩散区(318、518、716、718、914)包括用相对于所述第一类型掺杂剂具有相反电荷的第二类型掺杂剂掺杂的所述衬底(110、302、502、702、902)的第二体积；和在所述衬底(110、302、502、702、902)中并且至少部分围绕所述光电二极管单元(108、304、504、704、904)的外围延伸的保护带(312、314、512、514、712、714)，所述保护带(312、314、512、514、712、714)包括用所述第一类型掺杂剂掺杂的所述衬底(110、302、502、702、902)的第三体积，所述接地扩散区(318、518、716、718、914)或所述保护带(312、314、512、514、712、714)中的至少一个与接地参考(116)传导地耦合以传导从所述光电二极管单元(108、304、504、704、904)漂移通过所述衬底(110、302、502、702、902)的电子或空穴中的一个或多个，其中所述保护带(312、314、512、514、712、714)比所述接地扩散区(318、518、716、718、914)更接近所述光电二极管单元(108、304、504、704、904)设置；其中所述保护带(312、314、512、514、712、714)由所述衬底(110、302、502、702、902)的分离部分(316)与所述光电二极管单元(108、304、504、704、904)分离，所述衬底(110、302、502、702、902)的所述分离部分(316)从所述光电二极管单元(108、304、504、704、904)连续延伸到所述保护带(312、314、512、514、712、714)并且不使用所述第二类型掺杂剂掺杂。 |
