带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法

摘要

关于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷，Sr位与Ti位的配合摩尔比m为1.000≤m≤1.020，施主元素被固溶于晶粒中，并且受主元素以相对于上述Ti元素100摩尔为0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围存在于晶界层中，以相对于上述Ti元素100摩尔为0.15摩尔以上3.0摩尔以下的范围含有Zr元素，且晶粒的平均粒径在1.5μm以下。由此实现了下述SrTiO₃系晶界绝缘型的带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器：其能确保可经受实用性的绝缘性能的同时提高产品成品率，并且具有良好的ESD耐压且适于量产性。

主权项

一种带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器，其具有：通过将由SrTiO₃系晶界绝缘型的半导体陶瓷形成的多个半导体陶瓷层与多个内部电极层交替地层叠并进行烧制而成的层叠烧结体；和在该层叠烧结体的两端部与上述内部电极层电连接的外部电极，该带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器的特征在于，关于上述半导体陶瓷，Sr位与Ti位的配合摩尔比m为1.000≤m≤1.020，施主元素被固溶于晶粒中，并且受主元素相对于上述Ti元素100摩尔以0.5摩尔以下的范围存在于晶界层中，其中上述0.5摩尔以下并不含0摩尔，以相对于上述Ti元素100摩尔为0.15摩尔以上3.0摩尔以下的范围含有Zr元素，且晶粒的平均粒径在1.5μm以下。