半导体器件及半导体器件的制造方法

摘要

击穿电压结构部（3）包括具有环形多晶硅场板（7）和金属场板（9b）的双重结构的场板。此外，在击穿电压结构部（3）中，多个环形保护环（4b）设置在半导体衬底（1）的前表面的表面层中。多晶硅场板（7）分开配置在保护环（4b）的内周侧以及外周侧。将内周侧和外周侧的多晶硅场板（7）相连接的多晶硅桥（8）以预定间隔设置在多个保护环（4b）中的至少一个保护环（4b），从而配置在保护环（4b）的整个圆周上。金属场板（9b）设置在击穿电压结构部（3）的角隅部（3‑2）中的保护环（4b）和击穿电压结构部（3）的直线部（3‑1）中的至少一个保护环（4b）上。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：元件有源部，该元件有源部设置在矩形的第一导电型半导体衬底中，且其中流过主电流；击穿电压结构部，该击穿电压结构部包括直线部和连接所述直线部的呈曲线形状的角隅部，且该击穿电压结构部包围所述元件有源部；第二导电型保护环，该第二导电型保护环设置在所述第一导电型半导体衬底的表面层中，以便从所述击穿电压结构部的所述直线部延伸到所述角隅部；环形多晶硅场板，该环形多晶硅场板隔着绝缘膜设置在所述保护环的表面的上方，且分开配置在所述保护环的内周侧和外周侧上；多晶硅桥，该多晶硅桥设置在所述内周侧的多晶硅场板与所述外周侧的多晶硅场板之间的所述绝缘膜上，且该多晶硅桥以预定间隔将所述多晶硅场板相连接，在所述角隅部中的保护环、及所述直线部中的保护环上，都设置有多个所述多晶硅桥；层间绝缘膜，该层间绝缘膜设置在所述绝缘膜、所述多晶硅场板、所述多晶硅桥以及所述保护环的表面上；接触孔，该接触孔设置在所述层间绝缘膜中，使得所述多晶硅桥和所述保护环选择性露出；以及金属场板，该金属场板通过所述接触孔与所述多晶硅桥及所述保护环相接触，且将所述多晶硅桥与所述保护环的表面进行电连接，所述金属场板设置在所述击穿电压结构部的所述角隅部中的所述保护环上、以及所述击穿电压结构部的所述直线部中的至少一个所述保护环上。