一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法，其包括以下步骤：在镀有TaN/TiW/Au金属膜的陶瓷基片上涂覆一层光刻胶，再采用光刻的方法去除所述镀膜陶瓷基片非电路图形部分的光刻胶；将光刻处理的所述镀膜陶瓷基片进行带胶电镀金与电镀镍保护膜，再去除光刻胶；采用光刻的方法涂覆光刻胶保护电路图形刻蚀非图形部分Au/TiW层；再采用光刻的方法在所述镀膜陶瓷基片的图形部分及电路电阻部分涂覆一层光刻胶，刻蚀非光刻胶保护部分的电阻层，形成电路电阻；然后再去除全部光刻胶进行电阻阻值修正，最后腐蚀去掉电镀镍保护膜，得到薄膜电路。增加了电镀镍层及腐蚀镍层的加工步骤，通过电镀镍金属保护膜能够很好的保护金带线不被测试探针损伤，提高了薄膜电路加工的品质及成品率，降低了薄膜电路的制备成本。

主权项

一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法，其包括以下步骤：A、在镀膜的陶瓷基片上涂覆一层光刻胶，再采用光刻的方法去除所述镀膜陶瓷基片非电路图形部分的光刻胶；B、将光刻处理的所述镀膜陶瓷基片进行带胶电镀金与电镀镍保护膜，再去除剩余光刻胶；C、采用光刻的方法涂覆光刻胶保护电路图形刻蚀位于陶瓷基片上面的非图形部分Au/TiW层；D、再在所述镀膜陶瓷基片的图形部分及电路电阻部分涂覆一层光刻胶，刻蚀去除所述镀膜陶瓷基片上非光刻胶保护部分的电阻层，形成电阻；然后再去除全部光刻胶进行阻值修正，最后腐蚀去掉电镀镍保护膜，得到薄膜电路。