一种厚胶光刻工艺

摘要

本发明公开了一种厚胶光刻工艺。其特征在于，其中匀胶方法包括将基板从静止匀速加速至600～700rpm/min；后加速至1800～1900rpm/min后加速至2000～2100rpm/min；后加速至2200～2300rpm/min；后匀速降速至800～1000rpm/min；最后将基板逐步降速至0rpm/min，终止匀胶步骤。通过对匀胶等步骤的优化，使匀胶后所形成的光刻胶膜厚度均一，并且使光刻胶胶膜与基板更加服帖，有效避免最终成模的结构与理想结构的偏差、光刻胶开裂、光刻胶与基板脱离等瑕疵。另外，本发明也可使最终成模的结构也具有较高的光学一致性，有利于光刻胶微结构应用于基因测序等对光学性能要求比较高的领域。

主权项

一种厚胶光刻工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）匀胶：将光刻胶滴加至基板中心，旋转基板直至光刻胶在基板上形成一层厚度均匀的涂层；（2）前烘：将璇涂有光刻胶层的基板放置在干燥加热的环境中，使光刻胶层成膜；（3）曝光：采用紫外光将光刻胶曝光；（4）后烘：将上覆曝光后光刻胶的基板干燥加热的环境中后烘；（5）降温：将上覆后烘处理过的光刻胶的基板放入洁净环境中使光刻胶和基板降至室温；（6）显影：使用显影剂使基板上的光刻胶显影；其中，步骤（1）所述旋转包括下述阶段：（a）将基板匀速加速至600～700rpm/min并维持25～30s，（b）随后将基板匀速加速至1800～1900rpm/min并维持10～15s，（c）随后将基板匀速加速至2000～2100rpm/min并维持35～40s，（d）随后将基板匀速加速至2200～2300rpm/min并维持30～40s，（e）随后将基板匀速降速至800～1000rpm/min并维持15s，（f）最后将基板逐步降速至0rpm/min，终止匀胶步骤。