发明名称 | 一种标准单元库的优化方法及系统 | ||
摘要 | 本发明提供一种标准单元库的优化方法,在进行电路级别的光学仿真之前,先进行标准单元的版图布局,进而进行单一标准单元版图的光学仿真,这样,可以对标准单元先进行光学仿真的优化,减少了后续优化和流片的次数,大大提高了设计效率,降低优化难度,进而提高了设计的可靠性,尤其适用于新工艺节点下的标准单元库的设计和优化。 | ||
申请公布号 | CN105868449A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
申请号 | CN201610173678.9 | 申请日期 | 2016.03.24 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 韦亚一;赵利俊;粟雅娟 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
主权项 | 一种标准单元库的优化方法,其特征在于,包括:S01,提供初始的标准单元库;S02,将标准单元库中的标准单元依次进行布局,获得单一标准单元版图;S03,对单一标准单元版图进行第一光学仿真,对第一光学仿真结果中存在热点区域的标准单元进行优化并将优化后的标准单元更新至标准单元库;重复步骤S02和S03,直到通过第一光学仿真;S04,利用标准单元库进行版图设计,以获得测试版图;S05,对测试版图进行第二光学仿真,对第二光学仿真结果中存在热点区域的标准单元进行优化并将优化后的标准单元更新至标准单元库;重复步骤S02至S05,直到光学仿真结果中在标准单元内不存在热点区域;S06,按照测试版图进行芯片制造;S07,进行芯片级的测试,若芯片级的测试结果中存在缺陷区域,则对相应的缺陷区域进行优化并将优化后的缺陷区域所在的标准单元更新至标准单元库;重复步骤S02至S07,直到通过芯片级的测试。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |