| 发明名称 | 功率器件的制备方法和功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种功率器件的制备方法及其功率器件，其中，功率器件的制备方法，包括：在依次形成外延层、氧化层的基片上对所述氧化层进行图形化处理以暴露出所述氧化层的指定区域下方的所述外延层；在经过氧化层的图形化处理的所述基片上形成栅氧层；在形成所述栅氧层的所述基片上形成多个硅栅结构、漏极、源极和介质层，所述多个硅栅结构中的相邻硅栅结构之间的区域为主沟槽；在形成介质层的所述基片上依次对所述介质层和所述栅氧化层进行图形化处理，以暴露出所述主沟槽下方的所述外延层；形成金属连接从而完成所述功率器件的制备。通过本发明的技术方案，有效降低了非沟槽区的氧化层厚度，增大了栅漏电容间距，有效减小了栅漏电容和导通损耗。 | ||
| 申请公布号 | CN105870009A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201510031163.0 | 申请日期 | 2015.01.21 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在依次形成外延层、氧化层的基片上对所述氧化层进行图形化处理以暴露出所述氧化层的指定区域下方的所述外延层；在经过氧化层的图形化处理的所述基片上形成栅氧层；在形成所述栅氧层的所述基片上形成多个硅栅结构、漏极、源极和介质层，所述多个硅栅结构中的相邻硅栅结构之间的区域为主沟槽；在形成介质层的所述基片上依次对所述介质层和所述栅氧化层进行图形化处理，以暴露出所述主沟槽下方的所述外延层；形成金属连接从而完成所述功率器件的制备。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||