发明名称 |
一种ITO结构LED芯片及其切割方法 |
摘要 |
本发明公开了一种ITO结构LED芯片及其切割方法,该方法先制成发光二极管外延片;然后在外延片上制作ITO薄膜层;在ITO薄膜层上制作出带切割走道的介质膜层;经过湿法或干法蚀刻制作出图形化的ITO薄膜层和p‑GaP窗口层;在图形化的ITO薄膜层和p‑GaP窗口层上制作金属电极层;采用钻石刀片对应预制作的切割走道进行芯粒切割。本发明采用预制作的切割走道宽度大于刀片厚度4‑6μm,这样避免了钻石刀片与ITO薄膜直接接触,减少对高速旋转状态的钻石切割刀片的阻力,并解决了ITO薄膜和GaP薄膜在刀片切割时直接接触容易伴随碎屑附着和产生的崩角、崩边、裂纹等问题,极大地提升了产品的外观质量、可靠性和成品良率。 |
申请公布号 |
CN105870276A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201610412856.9 |
申请日期 |
2016.06.13 |
申请人 |
南昌凯迅光电有限公司 |
发明人 |
张银桥;潘彬 |
分类号 |
H01L33/06(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/06(2010.01)I |
代理机构 |
江西省专利事务所 36100 |
代理人 |
张静;张文 |
主权项 |
一种ITO结构LED芯片,包括GaAs衬底,在GaAs衬底的上面依次设有外延生长缓冲层、n‑AIGaInP限制层、多量子阱有源层、p‑AIGaInP限制层和p‑GaP窗口层,在p‑GaP窗口层上设有ITO薄膜层,在GaAs衬底的下面设有背电极,其特征在于:在ITO薄膜层上设有图形化的钻石刀片切割走道,在图形化的ITO薄膜层上设有金属电极层。 |
地址 |
330038 江西省南昌市红谷滩新区怡园路999号联泰香域中央西区3-1-1102 |