发明名称 | 一种功率器件MOSFET特性测试实验装置 | ||
摘要 | 本实用新型涉及一种MOSFET特性测试实验装置,解决了现有技术的不足,技术方案为:包括MOSFET特性测试实验板、温度传感器、温控显示板和温度传感器固定板,所述温度传感器固定板包括支撑板和至少三根支撑杆,所述支撑杆的第一端均与所述支撑板连接,所述MOSFET特性测试实验板上开设有若干个连接孔,所述支撑杆的第二端插入连接孔与所述MOSFET特性测试实验板连接,所述支撑板的中部开设有通孔,所述温度传感器安装在所述支撑板的上表面,所述温度传感器的检测端贯穿通孔对准MOSFET特性测试实验板,所述温控显示板与所述温度传感器电连接。 | ||
申请公布号 | CN205484684U | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
申请号 | CN201521075497.X | 申请日期 | 2015.12.18 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 俞勇祥 |
分类号 | G01R31/26(2014.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2014.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种MOSFET特性测试实验装置,其特征在于:包括MOSFET特性测试实验板、温度传感器、温控显示板和温度传感器固定板,所述温度传感器固定板包括支撑板和至少三根支撑杆,所述支撑杆的第一端均与所述支撑板连接,所述MOSFET特性测试实验板上开设有若干个连接孔,所述支撑杆的第二端插入连接孔与所述MOSFET特性测试实验板连接,所述支撑板的中部开设有通孔,所述温度传感器安装在所述支撑板的上表面,所述温度传感器的检测端贯穿通孔对准MOSFET特性测试实验板,所述温控显示板与所述温度传感器电连接。 | ||
地址 | 310057 浙江省杭州市余杭塘路388号 |