具有水平延伸的三维栅极结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有水平延伸的三维栅极结构及其制造方法，在集成电路上的装置包括交替的半导体线与绝缘线叠层，以及在半导体线叠层上的栅极结构。栅极结构包括垂直部，及水平延伸部，而垂直部相邻于叠层的至少一侧上，水平延伸部在半导体线之间。相较于半导体线的侧边，绝缘线的侧边可凹入(recessed)，所以至少叠层的一侧包括半导体线之间的凹陷部。水平延伸部可在凹陷部。水平延伸部具有内侧表面，以及外侧表面，内侧表面相邻于绝缘线的侧边，外侧表面可齐平于半导体线的侧边。装置包括第二栅极结构，以及绝缘元件，而第二栅极结构与第一次提及的栅极结构分隔开，绝缘元件在第二栅极结构的水平延伸部与第一次提及的栅极结构之间。

主权项

一种在集成电路上的装置，包括：一由交替的多条半导体线与多条绝缘线构成的叠层，其中该多条绝缘线的侧边相较于该多条半导体线的侧边凹入；以及一栅极结构，是在该叠层上，该栅极结构包括：一垂直部，相邻于该叠层的至少一侧上，以及多个水平延伸部，是在该多条半导体线之间。