发明名称 |
操作和编程电阻性存储器单元的方法和设备 |
摘要 |
本发明包含包含电阻性存储器的稳定的设备及方法。若干个实施例包含将编程信号施加到电阻性存储器单元,其中所述编程信号包含具有第一极性的第一部分及具有第二极性的第二部分,其中所述第二极性与所述第一极性相反。 |
申请公布号 |
CN104412326B |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201280051455.5 |
申请日期 |
2012.10.10 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
陈晓楠 |
分类号 |
G11C13/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I |
主分类号 |
G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
孙宝成 |
主权项 |
一种操作电阻性存储器单元的方法,其包括:将具有第一极性的编程脉冲施加到所述电阻性存储器单元以将所述电阻性存储器单元编程至目标电阻状态;在将所述编程脉冲施加到所述电阻性存储器单元之后,将编程验证脉冲施加到所述电阻性存储器单元;在将所述编程验证脉冲施加到所述电阻性存储器单元之后,将具有第二极性的稳定脉冲施加到所述电阻性存储器单元,其中所述第二极性与所述第一极性相反,且所述编程脉冲的持续时间比所述稳定脉冲的持续时间短;在将所述稳定脉冲施加到所述电阻性存储器单元之后,将额外编程验证脉冲施加到所述电阻性存储器单元以确定所述电阻性存储器单元的电阻状态是否为所述目标电阻状态;及如果所述电阻性存储器单元的所述电阻状态不是所述目标电阻状态,那么在将所述额外编程验证脉冲施加到所述电阻性存储器单元之后,将具有所述第一极性的额外编程脉冲及具有所述第二极性的额外稳定脉冲施加到所述电阻性存储器单元,其中所述额外稳定脉冲具有与所述稳定脉冲不同的振幅及/或不同的持续时间。 |
地址 |
美国爱达荷州 |