闪存的数据修复方法

摘要

一种闪存的数据修复方法，包括：提供闪存，包括若干闪存单元；闪存单元包括：半导体衬底、位于半导体衬底上的字线、位于字线一侧的第一浮栅结构、第一控制栅结构、第一字线、位于所述字线另一侧的第二浮栅结构、第二控制栅结构、第二掺杂区；对所述闪存单元进行修复操作，所述修复操作包括：在第二控制栅上施加第一电压，当第二浮栅结构的逻辑状态为“1”时，所述第一电压使第二浮栅结构下方的半导体衬底内形成反型层，在第二浮栅结构的逻辑状态为“0”时，第二浮栅结构下方的半导体衬底无法形成反型层；在第一掺杂区上施加第二电压；在第一控制栅上施加第三电压。所述闪存的数据修复方法可以降低闪存数据修复的操作步骤，提高数据修复的效率。

主权项

一种闪存的数据修复方法，其特征在于，包括：提供闪存，所述闪存包括若干闪存单元，所述闪存单元包括：半导体衬底、位于半导体衬底上的字线、位于所述字线一侧的半导体衬底上的第一浮栅结构、位于所述第一浮栅结构表面的第一控制栅结构、位于所述字线另一侧的半导体衬底表面的第二浮栅结构、位于所述第二浮栅结构上的第二控制栅结构、位于第一浮栅结构远离字线一侧的半导体衬底内的第一掺杂区、位于第二浮栅结构远离字线一侧的半导体衬底内的第二掺杂区，所述第一浮栅结构作为逻辑数据区，当第一浮栅结构为逻辑“0”状态、第二浮栅结构为逻辑“1”状态时所述闪存单元存储的数据为逻辑“0”，当第一浮栅结构为逻辑“1”状态、第二浮栅结构为逻辑“0”状态时所述闪存单元存储的数据为逻辑“1”；对所述闪存单元进行修复操作，所述修复操作包括：在第二控制栅结构上施加第一电压，当第二浮栅结构的逻辑状态为“1”时，所述第一电压使第二浮栅结构下方的半导体衬底内形成反型层，在第二浮栅结构的逻辑状态为“0”时，第二浮栅结构下方的半导体衬底无法形成反型层；在第一掺杂区上施加第二电压，所述第二电压能够使半导体衬底内产生热电子，从而在第二浮栅结构下方的半导体衬底内形成反型层时，产生从第一掺杂区端向第二掺杂区端流动的修复电流；在第一控制栅结构上施加第三电压，所述第三电压能够使部分热电子的运动方向发生改变而进入第一浮栅结构。