| 发明名称 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 从基体正面侧向p<sup>+</sup>阳极层(7)进行氩(8)的离子注入(8a)，形成缺陷层(9)。这时，在之后的铂扩散工序中，将氩(8)的飞程设为比p<sup>+</sup>阳极层(7)的扩散深度(Xj)浅，以使铂原子(11)局部存在于p<sup>+</sup>阳极层(7)的、与n<sup>‑</sup>漂移层(6)的pn结附近的电子进入区域内。之后，使涂布于基体背面(5a)的铂膏(10)中的铂原子(11)扩散到p<sup>+</sup>阳极层(7)内，并局部存在于缺陷层(9)的阴极侧。由此，p<sup>+</sup>阳极层(7)的寿命变短。另外，n<sup>‑</sup>漂移层(6)内的铂原子(11)被缺陷层(9)捕获，使得n<sup>‑</sup>漂移层(6)的铂浓度降低，n<sup>‑</sup>漂移层(6)内的寿命变长。因此，能够减小反向恢复电流，缩短反向恢复时间，并降低正向压降。 | ||
| 申请公布号 | CN105874607A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201580003544.6 | 申请日期 | 2015.07.15 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 栗林秀直;北村祥司;小野泽勇一 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 王颖;金玉兰 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，形成在所述第一半导体层的第一主面的表面层，且杂质浓度比所述第一半导体层高；含有氩的氩导入区，从所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的pn结朝向所述第一主面侧形成预定的深度，所述预定的深度使所述氩导入区的厚度比所述第二半导体层薄，铂从所述第一半导体层延伸而扩散至所述第二半导体层，且具有在所述氩导入区成为最大浓度的铂浓度分布。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||