通过p型钝化实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT

摘要

本发明公开了一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其包括：提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，所述第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对所述第三半导体中除栅下区域之外的其余区域进行钝化处理，使p型掺杂区仅存在于栅下区域，所述栅下区域分布在所述HEMT器件的栅极正下方；制作与所述异质结构连接的源、漏、栅极，并使所述源、漏极能够通过所述二维电子气电连接，且使所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了一种增强型HEMT。本发明具有工艺简单，重复性高，器件性能稳定优良，成本低廉，易于进行大规模生产等优点。

主权项

一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其特征在于包括：提供主要由第一半导体和第二半导体组成的异质结构，所述第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对所述第三半导体中除栅下区域之外的其余区域进行钝化处理，使p型掺杂区仅存在于栅下区域，所述栅下区域分布在所述HEMT器件的栅极正下方；以及，制作与所述异质结构连接的源极、漏极及栅极，并使所述源极和漏极能够通过所述二维电子气电连接，且使所述栅极分布于源极与漏极之间。