氧化铜/二氧化锰核壳纳米锥电极材料的制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种氧化铜/二氧化锰核壳纳米锥电极材料的制备方法及应用，具体步骤包括：a.将预处理的泡沫镍和硝酸铜水溶液置于水热釜中，在80‑160℃下反应3‑12h；冷却至室温，取出泡沫镍并清洗干净，真空干燥；经300‑500℃煅烧2‑6h即得到一维纳米氧化铜锥负载的泡沫镍。b.将步骤a中制得的一维纳米氧化铜锥负载的泡沫镍和浓度为0.01‑0.05M高锰酸钾水溶液置于水热釜中，在140‑170℃下反应1‑5h；冷却至室温，取出泡沫镍并清洗干净，真空干燥，即得到基于泡沫镍基底生长的以氧化铜为核，二氧化锰为壳的纳米锥电极材料。将该电极用于组装超级电容器，在0.4Ag^‑1电流密度下其比容量为650Fg^‑1；在充放电循环2000圈之后，其比容量保持85％以上。

主权项

一种氧化铜/二氧化锰核壳纳米锥电极材料的制备方法，其特征在于采用水热法在泡沫镍表面上直接生长氧化铜/二氧化锰核壳纳米锥，具体步骤包括：a.将预处理的泡沫镍和硝酸铜水溶液置于水热釜中，在80‑160℃下反应3‑12h；冷却至室温，取出泡沫镍并清洗干净，真空干燥；经300‑500℃煅烧2‑6h即得到一维纳米氧化铜锥负载的泡沫镍。b.将步骤a中制得的一维纳米氧化铜锥负载的泡沫镍和浓度为0.01‑0.05M高锰酸钾水溶液置于水热釜中，在140‑170℃下反应1‑5h；冷却至室温，取出泡沫镍并清洗干净，真空干燥，即得到基于泡沫镍基底生长的以氧化铜为核，二氧化锰为壳的纳米锥电极材料。