| 发明名称 | 阵列基板及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种阵列基板及制作方法，该阵列基板包括：一玻璃基板；栅电极，其设置于该玻璃基板上；第一绝缘层，其沉积于该玻璃基板以及栅电极上；半导体层，其设置于该第一绝缘层上并位于栅电极上方；平坦层，其设置于第一绝缘层上；源极和漏极，该源极和漏极均设置于平坦层以及半导体层上；像素电极层，其设置于平坦层以及该漏极上；第二绝缘层，其设置于平坦层、半导体层、源极以及漏极上。本发明具有避免在开孔处形成气泡、提高开口率的有益效果，并且该平坦层还增大了源极、漏极与栅电极之间的距离，可以提高抗静电能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105870056A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201610216334.1 | 申请日期 | 2016.04.08 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 夏慧;黄添钧 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人 | 黄威 |
| 主权项 | 一种阵列基板，其特征在于，包括：一玻璃基板；栅电极，其设置于该玻璃基板上；第一绝缘层，其沉积于该玻璃基板以及栅电极上；半导体层，其设置于该第一绝缘层上并位于栅电极上方；平坦层，其设置于第一绝缘层上；源极，该源极设置于平坦层以及半导体层上；漏极，该漏极设置于平坦层以及半导体层上；像素电极层，其设置于平坦层以及该漏极上；第二绝缘层，其设置于平坦层、半导体层、源极以及漏极上。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||