| 发明名称 | 平坦化层 | ||
| 摘要 | 一种器件，包括非平坦化塑料基板；在非平坦化的基板上形成的电学和/或光学功能层；在功能层上方形成的平坦化层；在平坦化层上方形成的至少第一导体层和半导体层，其中第一导体层限定用于一个或多个晶体管器件的至少源电极和漏电极电路，而半导体层限定用于所述一个或多个晶体管器件的半导体沟道。 | ||
| 申请公布号 | CN105874605A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201480046822.1 | 申请日期 | 2014.08.21 |
| 申请人 | 弗莱克因艾伯勒有限公司 | 发明人 | J·哈丁;M·巴拿赫 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种器件，包括非平坦化的塑料基板；在所述非平坦化的基板上形成的电学和/或光学功能层；在所述功能层上方形成的平坦化层；在所述平坦化层上方形成的至少第一导体层和半导体层，其中所述第一导体层限定用于一个或多个晶体管器件的至少源电极电路和漏电极电路，而半导体层限定用于所述一个或多个晶体管器件的半导体沟道。 | ||
| 地址 | 英国剑桥 | ||