| 发明名称 | 半导体装置用树脂薄膜及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置用树脂薄膜，其含有经硅烷偶联处理的无机离子捕获剂。 | ||
| 申请公布号 | CN105874581A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201480070899.2 | 申请日期 | 2014.12.22 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 木村雄大;三隅贞仁;大西谦司;菅生悠树;宍户雄一郎 |
| 分类号 | H01L21/52(2006.01)I;H01L21/301(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种半导体装置用树脂薄膜，其特征在于，含有经硅烷偶联处理的无机离子捕获剂。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||