| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS AND METHODS OF FORMING MEMORY CELLS |
| 摘要 |
몇몇 실시형태는 유전 재료 위에 전기 전도성 재료를 포함하는 스택을 포함하는 반도체 구성물을 포함한다. 프로그램 가능한 재료 구조물은 스택의 측벽 표면을 따라 전기 전도성 재료 및 유전 재료 둘 다에 바로 맞대어 있다. 전극 재료는 스택의 전기 전도성 재료와 전기 커플링된다. 몇몇 실시형태는 프로그램 가능한 재료 플레이트가 전기 전도성 재료 및 유전 재료를 함유하는 스택의 측벽 표면을 따라 형성된 메모리 셀을 형성하는 방법을 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR101649087(B1) |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
| 申请号 |
KR20157021415 |
申请日期 |
2014.04.04 |
| 申请人 |
마이크론 테크놀로지, 인크 |
发明人 |
쿠페타, 카멜라;레다엘리, 안드레아;카펠레티, 파올로, 지우세페 |
| 分类号 |
H01L27/24;H01L45/00 |
主分类号 |
H01L27/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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