用于含氮电介质层的低能蚀刻方法

摘要

在衬底上形成自下而上包括含氮电介质层、互连层面电介质材料层和硬掩模层的叠层。通过蚀刻图形化所述硬掩模层和互连层面电介质材料层。采用图形化的硬掩模材料作为蚀刻掩模，通过穿透性的各向异性蚀刻图形化所述含氮电介质层，该各向异性蚀刻使用含氟代烃的等离子体穿透所述含氮电介质层。用于产生所述含氟代烃的等离子体的氟代烃气体产生富碳的聚合物残留物，该残留物与所述含氮电介质层反应以形成挥发性化合物。等离子体能量可以被降低到100eV以下，从而减少了对互连层面电介质材料层的物理暴露表面的损伤。

主权项

一种形成金属互连结构的方法，包括：形成自下而上包括衬底、含氮电介质层、互连层面电介质材料层和硬掩模层的叠层；在所述硬掩模层和所述互连层面电介质材料层中形成开口；以及采用含氟代烃的等离子体各向异性蚀刻位于所述开口下方的所述含氮电介质层的物理暴露部分，其中挥发性化合物形成在所述含氮电介质层的表面上并且从所述表面蒸发，其中所述挥发性化合物包括源自所述含氮电介质层的氮以及富碳聚合物，所述富碳聚合物包含碳和氟并且具有大于1的碳氟比，其中所述含氟代烃的等离子体包括C_xH_yF_z的离子，其中x是选自4、5和6的整数，y和z是正整数，并且y大于z。