增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法

摘要

本发明公开了一种增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，在硅的N‑I‑P层与前、背两个透明导电氧化物层之间分别刻蚀周期边长为200～500nm的锯齿状三角一维光栅，其中硅的N‑I‑P层前表面的三角一维光栅与硅的N‑I‑P层背表面的三角一维光栅横向错位20～160nm。本发明通过使硅薄膜太阳电池光吸收的前、背光栅织构横向错位来增强电池的光吸收，硅薄膜太阳电池的总光吸收率与未横向错位的硅薄膜太阳电池相比，相对提高了7.9%～17.8%，进一步提升了硅薄膜太阳电池的效率。

主权项

一种增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，其特征在于：在硅的N‑I‑P层与前透明导电氧化物层之间刻蚀周期边长为200～500nm的锯齿状三角一维光栅，在硅的N‑I‑P层与背透明导电氧化物层之间刻蚀周期边长为200～500nm的锯齿状三角一维光栅，其中硅的N‑I‑P层前表面的三角一维光栅与硅的N‑I‑P层背表面的三角一维光栅横向错位20～160nm，所述的透明导电氧化物层是掺铝氧化锌层或铟锡氧化物层。