发明名称 |
半导体结构及其形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体结构的形成方法,可以包括以下步骤:提供衬底;在衬底之上形成M层III族氮化物层和N层富III族金属插入层,其中M≥N≥1,其中,富III族金属插入层位于III族氮化物层下方且紧邻III族氮化物层和/或位于相邻两层III族氮化物层之间,其中,富III族金属插入层为AN<sub>w</sub>,其中A表示III族金属元素B、Al、Ga、In中的一种或多种组合,并且0<w<1。该方法由于引入了富III族金属插入层,使得III族氮化物层中的下层位错向上延伸受到抑制,起到了降低穿通位错密度的作用,使外延层表面更加平整,并减少表面针孔等缺陷,改善了半导体结构的表面形貌。本发明还公开的相应的半导体结构。 |
申请公布号 |
CN103646857B |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201310589697.6 |
申请日期 |
2013.11.20 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
王勋;郭磊;李海强;王敬 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/201(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:提供衬底;在所述衬底之上形成M层III族氮化物层和N层富III族金属插入层,其中M≥N≥1,其中,所述富III族金属插入层位于所述III族氮化物层下方且紧邻所述III族氮化物层和/或位于相邻两层所述III族氮化物层之间,其中,所述富III族金属插入层为AN<sub>w</sub>,其中A表示III族金属元素Al,并且0<w<1。 |
地址 |
100084 北京市海淀区100084-82信箱 |