Mg扩散的LED外延片、生长方法及LED结构

摘要

本申请公开了一种Mg扩散的LED外延片、生长方法及LED结构，该LED外延片结构从下至上依次为：衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，多量子阱层，P型AlGaN层，在所述的P型AlGaN层上为渐变掺杂Mg的P型GaN层，所述的P型GaN层为进行了Mg扩散处理的GaN层。进一步提供一种LED结构。本发明的优点是：在生长完一小段渐变掺杂Mg的p型GaN后停止生长，再通入大量的Mg对前段p型GaN进行Mg的扩散处理，通过扩散的方式Mg更好地取代Ga位，同时减少了Mg-H键的形成，减少了填充类型的Mg原子，使得并入的Mg原子大部分处在Ga位，提高了处于Ga位Mg原子的比例，使得电离能低的Mg原子比例增加。

主权项

一种Mg扩散的LED外延片，其结构从下至上依次为：衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，多量子阱层，P型AlGaN层，其特征在于，在所述的P型AlGaN层上为渐变掺杂Mg的P型GaN层，所述的P型GaN层为进行了Mg扩散处理的GaN层。