发明名称 |
薄膜形成装置 |
摘要 |
本发明提出一种薄膜形成装置,在基板上形成钝化膜,且包括:腔室,被导入包含钝化膜的原料气体的反应气体;基板底板,配置于腔室内,且载置基板;电极,配置于腔室内,在基板底板上的与基板相对向的面形成着槽;以及交流电源,一边使大于或等于50kHz且小于或等于450kHz的频率的交流电力的供给以固定的周期停止,一边将该交流电力供给至基板底板与电极之间,且在基板的上表面激发包含原料气体的等离子体。 |
申请公布号 |
CN103534383B |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201180069697.2 |
申请日期 |
2011.09.22 |
申请人 |
株式会社岛津制作所 |
发明人 |
三科健;猿渡哲也;今井大辅 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I;C23C16/515(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁 |
主权项 |
一种薄膜形成装置,在基板上形成钝化膜,其特征在于包括:腔室,被导入包含所述钝化膜的原料气体的反应气体;基板底板,配置于所述腔室内,且载置所述基板;电极,配置于所述腔室内,在所述基板底板上的与所述基板相对向的面形成槽;以及交流电源,一边使大于或等于50kHz且小于或等于450kHz的频率的交流电力的供给以固定的周期停止,一边将所述交流电力供给至所述基板底板与所述电极之间,且在所述基板的上表面激发包含所述原料气体的等离子体,其中,在所述电极的所述槽中,产生空心阴极放电,同时以所述固定的周期使所述交流电力的供给停止,借此在所述腔室内使得所述等离子体稳定。 |
地址 |
日本京都府京都市中京区西之京桑原町1番地 |