发明名称 薄膜形成装置
摘要 本发明提出一种薄膜形成装置,在基板上形成钝化膜,且包括:腔室,被导入包含钝化膜的原料气体的反应气体;基板底板,配置于腔室内,且载置基板;电极,配置于腔室内,在基板底板上的与基板相对向的面形成着槽;以及交流电源,一边使大于或等于50kHz且小于或等于450kHz的频率的交流电力的供给以固定的周期停止,一边将该交流电力供给至基板底板与电极之间,且在基板的上表面激发包含原料气体的等离子体。
申请公布号 CN103534383B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201180069697.2 申请日期 2011.09.22
申请人 株式会社岛津制作所 发明人 三科健;猿渡哲也;今井大辅
分类号 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I;C23C16/515(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁
主权项 一种薄膜形成装置,在基板上形成钝化膜,其特征在于包括:腔室,被导入包含所述钝化膜的原料气体的反应气体;基板底板,配置于所述腔室内,且载置所述基板;电极,配置于所述腔室内,在所述基板底板上的与所述基板相对向的面形成槽;以及交流电源,一边使大于或等于50kHz且小于或等于450kHz的频率的交流电力的供给以固定的周期停止,一边将所述交流电力供给至所述基板底板与所述电极之间,且在所述基板的上表面激发包含所述原料气体的等离子体,其中,在所述电极的所述槽中,产生空心阴极放电,同时以所述固定的周期使所述交流电力的供给停止,借此在所述腔室内使得所述等离子体稳定。
地址 日本京都府京都市中京区西之京桑原町1番地