发明名称 半导体装置
摘要 半导体装置具备:第1基材(1),其具有第1面(19);第2基材(2),其具有与第1面(19)相邻的第2面(20),线膨胀系数与第1基材(1)不同,与第1基材(1)相接;和第1布线(31),其在第1面(19)上以及第2面(20)上跨第1基材(1)与第2基材(2)的边界线(28)而设。在边界线(28)上的第1布线(31)的截面积,大于第1布线(31)中的设于第1面(19)上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积、或第1布线(31)中的设于第2面(20)上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积。
申请公布号 CN103620762B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201280030971.X 申请日期 2012.09.05
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 坂本岳史
分类号 H01L23/12(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I 主分类号 H01L23/12(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 薛凯
主权项 一种半导体装置,具备:第1基材,其具有形成了电路的第1面;第2基材,其具有朝向与所述第1面相同的方向并与所述第1面相邻的第2面,线膨胀系数与所述第1基材不同,与所述第1基材相接;和第1布线,其在所述第1面上以及所述第2面上跨俯视观察下的所述第1基材与所述第2基材的第1边界线而设,与形成于所述第1面的电路连接,在所述第1边界线上的所述第1布线的截面积,大于所述第1布线中的设于所述第1面上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积、或所述第1布线中的设于所述第2面上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积。
地址 日本大阪府
您可能感兴趣的专利