发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
半导体装置具备:第1基材(1),其具有第1面(19);第2基材(2),其具有与第1面(19)相邻的第2面(20),线膨胀系数与第1基材(1)不同,与第1基材(1)相接;和第1布线(31),其在第1面(19)上以及第2面(20)上跨第1基材(1)与第2基材(2)的边界线(28)而设。在边界线(28)上的第1布线(31)的截面积,大于第1布线(31)中的设于第1面(19)上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积、或第1布线(31)中的设于第2面(20)上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积。 |
申请公布号 |
CN103620762B |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201280030971.X |
申请日期 |
2012.09.05 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
坂本岳史 |
分类号 |
H01L23/12(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/12(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
薛凯 |
主权项 |
一种半导体装置,具备:第1基材,其具有形成了电路的第1面;第2基材,其具有朝向与所述第1面相同的方向并与所述第1面相邻的第2面,线膨胀系数与所述第1基材不同,与所述第1基材相接;和第1布线,其在所述第1面上以及所述第2面上跨俯视观察下的所述第1基材与所述第2基材的第1边界线而设,与形成于所述第1面的电路连接,在所述第1边界线上的所述第1布线的截面积,大于所述第1布线中的设于所述第1面上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积、或所述第1布线中的设于所述第2面上的部分的至少一部分的布线宽度方向截面的面积。 |
地址 |
日本大阪府 |