| 发明名称 | 半导体器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：存储块，包括主数据储存单元和循环信息储存单元；电路组，对存储块执行耗损均衡操作；以及控制电路，基于循环信息来设定阈值，并控制电路组从而基于设定的阈值来执行耗损均衡操作。 | ||
| 申请公布号 | CN105869675A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201510462915.9 | 申请日期 | 2015.07.31 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金相植 |
| 分类号 | G11C16/14(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：存储块，包括主数据储存单元和循环信息储存单元；电路组，对存储块执行耗损均衡操作；以及控制电路，基于循环信息来设定阈值，并控制电路组从而基于设定的阈值来执行耗损均衡操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||