一种MOSFET及其制备方法

摘要

本发明公开了一种MOSFET,包括漏极、源极和栅极，且所述漏极、源极和栅极设于同侧。本发明还公开了一种MOSFET的制备方法，包括以下步骤：在掩蔽层的掩蔽下对外延层进行沟槽刻蚀，形成沟槽；栅氧生长和多晶硅栅淀积；多晶硅栅刻蚀和沟道注入区光刻和注入、退火、源区光刻和注入；进行漏区通孔光刻：进行漏区通孔刻蚀，并淀积通孔隔离介质；保留漏区通孔侧壁上的隔离介质：进行引出孔光刻，刻蚀：淀积第一金属层，填充源极引出孔和漏极引出孔及栅极引出孔；对第一金属层进行化学机械抛光；淀积第二金属，光刻，刻蚀；钝化层淀积及引出孔光刻、刻蚀。本发明将漏端从芯片背面引到芯片正面，从而满足在芯片正面打线接触的封装要求。

主权项

一种MOSFET,其特征在于，包括漏极、源极和栅极，且所述漏极、源极和栅极设于同侧。