绝缘栅型半导体装置的制造方法及绝缘栅型半导体装置

摘要

使绝缘栅型半导体装置高耐压化。一种制造在表面电极和背面电极之间进行开关的绝缘栅型半导体装置的方法，具有：向栅极沟槽的底面注入第一第二导电型杂质并使注入的第一第二导电型杂质扩散的工序、以及向外周沟槽的底面注入第二第二导电型杂质并使注入的第二第二导电型杂质扩散的工序。

主权项

一种方法，其为制造绝缘栅型半导体装置的方法，所述绝缘栅型半导体装置具有：半导体基板；表面电极，其被形成在所述半导体基板的表面上；背面电极，其被形成在所述半导体基板的背面，并且，所述绝缘栅型半导体装置在所述表面电极和所述背面电极之间进行开关，其中，所述绝缘栅型半导体装置具有：第一导电型的第一区，其与所述表面电极连接；第二导电型的第二区，其与所述第一区相接；第一导电型的第三区，其通过所述第二区而与所述第一区分离；多个栅极沟槽，其被形成在所述半导体基板的所述表面上，并贯穿所述第二区而到达所述第三区；栅极绝缘膜以及栅电极，所述栅极绝缘膜以及所述栅电极被配置在所述栅极沟槽内；第二导电型的第四区，其被形成在于所述栅极沟槽的底面上露出的范围内；多个外周沟槽，所述多个外周沟槽在所述第二区的外侧的区域内被形成在所述半导体基板的所述表面上；绝缘层，其被配置在所述外周沟槽内；第二导电型的第五区，其被形成在于所述外周沟槽的底面上露出的范围内，所述方法具有：形成所述栅极沟槽的工序；形成所述外周沟槽的工序；通过向所述栅极沟槽的底面注入第一第二导电型杂质，并使注入的所述第一第二导电型杂质扩散，从而形成所述第四区的工序；通过向所述外周沟槽的底面注入第二第二导电型杂质，并使注入的所述第二第二导电型杂质扩散，从而形成所述第五区的工序，形成所述第五区的工序中的所述第二第二导电型杂质的扩散系数大于形成所述第四区的工序中的所述第一第二导电型杂质的扩散系数。