发明名称 |
一种低场大磁熵变的二维钆配位聚合物及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种低场大磁熵变的二维钆配位聚合物,其化学式为C<sub>4</sub>H<sub>6</sub>GdO<sub>8</sub>;本发明还提供其制备方法,包括以下步骤:将氧化钆、丙二酸、草酸和水加入至反应釜中;将上述混合物升温至150‑170°C,反应65‑80小时后,降温至18‑25°C,得到块状晶体;收集晶体,并依次使用水和乙醇进行洗涤,真空干燥后可得到低场大磁熵变的二维钆配位聚合物。该制备方法基于钆离子较大的自旋基态以及钆离子间较弱的磁相互作用,制得低场大磁熵变的二维钆配位聚合物,为制备低场大磁熵变的稀土配合物指明新的方向;该二维钆配位聚合物具有相对较小的分子质量自旋比和大的磁热效应,在磁制冷方面具有潜在应用价值。 |
申请公布号 |
CN105859759A |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201610306895.0 |
申请日期 |
2016.05.11 |
申请人 |
江西理工大学 |
发明人 |
刘遂军;郑腾飞;曹晨;陈景林;温和瑞 |
分类号 |
C07F5/00(2006.01)I;C09K5/14(2006.01)I;H01F1/42(2006.01)I |
主分类号 |
C07F5/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
一种低场大磁熵变的二维钆配位聚合物,其特征在于,所述低场大磁熵变的二维钆配位聚合物的化学式为C<sub>4</sub>H<sub>6</sub>GdO<sub>8</sub>。 |
地址 |
341000 江西省赣州市章贡区红旗大道86号 |