一种鳍的形成方法

摘要

本发明提供了一种鳍的形成方法，包括：提供半导体衬底，衬底上形成有图案转移层；在图案转移层中形成暴露衬底的第一沟槽；以叠层填充第一沟槽，所述叠层至少包括第一沟槽内表面上的第一材料层和第一材料层上的第二材料层，第一材料层至少相对于第二材料层具有刻蚀选择性；进行选择性刻蚀，去除第一沟槽侧壁上的第一材料层，以形成第二沟槽；在第二沟槽中外延生长鳍。本方法通过形成的材料层的厚度来控制形成的第二沟槽的尺寸，进而控制所形成的鳍的尺寸，无需通过光刻技术实现小尺寸的鳍的形成，提高器件的集成度。

主权项

一种鳍的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，衬底上形成有图案转移层；在图案转移层中形成暴露衬底的第一沟槽；以叠层填充第一沟槽，所述叠层至少包括第一沟槽内表面上的第一材料层和第一材料层上的第二材料层，第一材料层至少相对于第二材料层具有刻蚀选择性；进行选择性刻蚀，去除第一沟槽侧壁上的第一材料层，以形成第二沟槽；在第二沟槽中外延生长鳍。