发明名称 |
发光装置 |
摘要 |
一种发光装置,包括:发光结构;第一和第二接触电极,设置在发光结构上且分别与第一和第二导电型半导体层形成欧姆接触;绝缘层,设置在发光结构上且使第一和第二接触电极彼此绝缘;第一和第二体电极,设置在发光结构上且分别电连接第一和第二接触电极;绝缘支撑层,覆盖第一和第二体电极侧表面及部分上表面,且包括第一和第二开口,分别部分地暴露第一和第二体电极上表面;及第一和第二焊盘电极,分别至少部分填充第一和第二开口,其中通过第一和第二开口暴露的第一和第二体电极的上表面暴露区域分别小于第一和第二体电极的水平横截面积。本实用新型能够有效散热且具有机械稳定性。 |
申请公布号 |
CN205488228U |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201521031647.7 |
申请日期 |
2015.12.11 |
申请人 |
首尔伟傲世有限公司 |
发明人 |
金彰渊;蔡钟炫 |
分类号 |
H01L33/64(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/64(2010.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
张洋;臧建明 |
主权项 |
一种发光装置,其特征在于,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层;第一接触电极和第二接触电极,所述第一接触电极和所述第二接触电极设置在所述发光结构上并分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层形成欧姆接触;第一体电极和第二体电极,所述第一体电极和所述第二体电极设置在所述发光结构上并分别电连接至所述第一接触电极和所述第二接触电极;以及第一焊盘电极和第二焊盘电极,分别在所述第一体电极和所述第二体电极上,所述第一焊盘电极的水平横截面积小于所述第一体电极的水平横截面积,所述第二焊盘电极的水平横截面积小于所述第二体电极的水平横截面积。 |
地址 |
韩国京畿道安山市檀园区山檀路163便道65-16 |