| 发明名称 |
Ｃ方向において＋／−１５度より少ないミスカットを有するＭ面基板上の半極性ＩＩＩ族窒化物光電子デバイス |
| 摘要 |
An optoelectronic device grown on a miscut of GaN, wherein the miscut comprises a semi-polar GaN crystal plane (of the GaN) miscut x degrees from an m-plane of the GaN and in a c-direction of the GaN, where −15<x<−1 and 1<x<15 degrees. |
| 申请公布号 |
JP5972798(B2) |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
| 申请号 |
JP20120556269 |
申请日期 |
2011.03.04 |
| 申请人 |
ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア |
发明人 |
スー， ポー シャン;ケルチナー， キャスリーン エム．;ファレル， ロバート エム．;ヘイガー， ダニエル エー．;太田 裕朗;ティアギ， アヌラグ;ナカムラ， シュウジ;デンバーズ， スティーブン ピー．;スペック， ジェームズ エス． |
| 分类号 |
H01S5/323 |
主分类号 |
H01S5/323 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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